IRF8327STR1PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRF8327STR1PBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF8327STR1PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ

Inventár:

Online RFQ

12804599

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF8327STR1PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

14A (Ta), 60A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

7.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.4V @ 25µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1430 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Prevádzková teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

DIRECTFET™ SQ

Balenie / puzdro

DirectFET™ Isometric SQ

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRF8327STR1PBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Iné mená

IRF8327STR1PBFCT

IRF8327STR1PBFDKR

SP001565762

IRF8327STR1PBF-DG

IRF8327STR1PBFTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IPZA60R080P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4

infineon-technologies

IRLR2908TRLPBF

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

infineon-technologies

IPP80R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

infineon-technologies

IRFU3607TRL701P

MOSFET N CH 75V 56A IPAK