Výrobca Číslo produktu:
IRF8513PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF8513PBF-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
Inventár:
12802909
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
BNdu
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF8513PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A, 11A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
766pF @ 15V
Výkon - Max
1.5W, 2.4W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
IRF8513
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
95
Iné mená
SP001555762
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSL215PL6327HTSA1
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
IRF7307TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
IRF7901D1TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO