Výrobca Číslo produktu:
IRF9310PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF9310PBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 20A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12804055
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF9310PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5250 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
95
Iné mená
SP001566550
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS6681Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19722
ČÍSLO DIELU
FDS6681Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.84
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMG4413LSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3968
ČÍSLO DIELU
DMG4413LSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI80N06S407AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IPN70R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
IRFR4105ZTRR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
