Výrobca Číslo produktu:
IRFB11N50APBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFB11N50APBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12806089
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFB11N50APBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1423 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
448-IRFB11N50APBF
SP001563792
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB11N50APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2122
ČÍSLO DIELU
IRFB11N50APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IRFB11N50APBF-BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2600
ČÍSLO DIELU
IRFB11N50APBF-BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.00
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
IPS70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
IRF5305STRR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
