Výrobca Číslo produktu:
IRFB23N15DPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFB23N15DPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12804515
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFB23N15DPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRFB23N15DPBF
SP001566508
2156-IRFB23N15DPBF-448
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB4615PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2079
ČÍSLO DIELU
IRFB4615PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFB4019PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
743
ČÍSLO DIELU
IRFB4019PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
IPW60R280E6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
IPI45P03P4L11AKSA1
MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
