Výrobca Číslo produktu:
IRFB4310ZPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFB4310ZPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
2863 Ks Nové Originálne Na Sklade
12807069
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFB4310ZPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6860 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRFB4310
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Iné mená
SP001570588
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR540ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
IRF3710STRR
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
IRLR3717TRRPBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK