Výrobca Číslo produktu:
IRFB4410PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFB4410PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
8029 Ks Nové Originálne Na Sklade
12818350
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFB4410PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
88A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5150 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRFB4410
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Iné mená
SP001556060
*IRFB4410PBF
IFEINFIRFB4410PBF
2156-IRFB4410PBFINF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF8707GPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IPL60R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
CSD16327Q3T
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON