Výrobca Číslo produktu:
IRFB61N15DPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFB61N15DPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12803020
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFB61N15DPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3470 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta), 330W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001560242
*IRFB61N15DPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PSMN030-150P,127
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
PSMN030-150P,127-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.38
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFB4321PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
228
ČÍSLO DIELU
IRFB4321PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.36
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF1404ZPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
IRF1503SPBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IRFR3704ZTRRPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK