Výrobca Číslo produktu:
IRFH5025TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFH5025TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
12806856
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFH5025TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2150 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
IRFH5025
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRFH5025TRPBFCT
IRFH5025TRPBFTR
INFINFIRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF-DG
SP001575486
IRFH5025TRPBFDKR
2156-IRFH5025TRPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TPH1110FNH,L1Q
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11608
ČÍSLO DIELU
TPH1110FNH,L1Q-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRL2203NSTRR
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
IRLR2905TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRLB3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
