Výrobca Číslo produktu:
IRFH5215TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFH5215TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventár:
13064059
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFH5215TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta), 27A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
58mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1350 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-VQFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
IRFH5215
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
2156-IRFH5215TRPBF
IRFH5215TRPBFDKR
IRFH5215TRPBFCT
IRFH5215TRPBFTR
ROCINFIRFH5215TRPBF
IRFH5215TRPBF-ND
SP001554700
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC520N15NS3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13559
ČÍSLO DIELU
BSC520N15NS3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPZA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
IPP80N04S204AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IPP111N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
