Výrobca Číslo produktu:
IRFH6200TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFH6200TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
3492 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806154
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFH6200TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
49A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10890 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
IRFH6200
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRFH6200TRPBF-DG
IRFH6200TRPBFTR
SP001575628
IRFH6200TRPBFCT
IRFH6200TRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIR404DP-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
28137
ČÍSLO DIELU
SIR404DP-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IPSA70R2K0P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
IRFSL3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
