Výrobca Číslo produktu:
IRFHM792TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFHM792TRPBF-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Inventár:
12805292
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
vePK
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFHM792TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 10µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
251pF @ 25V
Výkon - Max
2.3W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Základné číslo produktu
IRFHM792
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SP001554848
448-IRFHM792TRPBFTR
448-IRFHM792TRPBFDKR
IRFHM792TRPBF-DG
448-IRFHM792TRPBFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI7922DN-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
42035
ČÍSLO DIELU
SI7922DN-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SI7922DN-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1485
ČÍSLO DIELU
SI7922DN-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFI4019H-117P
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
IRF5850
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
IRFHM8363TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
