Výrobca Číslo produktu:
IRFI530N
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFI530N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
12816340
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFI530N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
640 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFI530N
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFI530NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7816
ČÍSLO DIELU
IRFI530NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
FDPF680N10T
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
46188
ČÍSLO DIELU
FDPF680N10T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7008-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
IRFC4310EF
MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM
IRFR1205PBF
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
