Výrobca Číslo produktu:
IRFL1006
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFL1006-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventár:
12805717
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFL1006 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
160 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
80
Iné mená
*IRFL1006
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZXMN6A11GTA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1669
ČÍSLO DIELU
ZXMN6A11GTA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSP295H6327XTSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
943
ČÍSLO DIELU
BSP295H6327XTSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
IRF1405ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRL1004SPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK