Výrobca Číslo produktu:
IRFP3415PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFP3415PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
3483 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804338
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFP3415PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
42mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IRFP3415
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
SP001566972
*IRFP3415PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFB52N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
IRF6215PBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
IPD25DP06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3