IRFP90N20DPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFP90N20DPBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRFP90N20DPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventár:

574 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806038
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFP90N20DPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
94A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6040 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
580W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IRFP90

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy
Zdroje návrhu

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
25
Iné mená
SP001552070
IFEINFIRFP90N20DPBF
*IRFP90N20DPBF
2156-IRFP90N20DPBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRF540ZPBF

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

infineon-technologies

IRF6727MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFS7762PBF

MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK

infineon-technologies

IRF7452PBF

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO