Výrobca Číslo produktu:
IRFR8314TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFR8314TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventár:
5458 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803965
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFR8314TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4945 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IRFR8314
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
IRFR8314TRPBFCT
IRFR8314TRPBFTR
SP001565102
IRFR8314TRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
IPI80N06S407AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IRF7413Z
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
