Výrobca Číslo produktu:
IRFR9N20DPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFR9N20DPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventár:
12804309
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFR9N20DPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
560 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
86W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
SP001565076
2156-IRFR9N20DPBF
INFINFIRFR9N20DPBF
*IRFR9N20DPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFS7787PBF
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
IRF1902TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
IRF5210L
MOSFET P-CH 100V 40A TO262
