Výrobca Číslo produktu:
IRFS17N20D
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFS17N20D-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12805726
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFS17N20D Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
170mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFS17N20D
SP001557226
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RCJ160N20TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
RCJ160N20TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB19NF20
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB19NF20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7464TRPBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
IPW65R041CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
SPP07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
