Výrobca Číslo produktu:
IRFS4115TRLPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFS4115TRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
18254 Ks Nové Originálne Na Sklade
12807202
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFS4115TRLPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5270 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
375W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFS4115
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRFS4115TRLPBFCT
IRFS4115TRLPBFDKR
SP001578272
IRFS4115TRLPBFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPB80N06S2-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPA04N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-FP
IRL2203NSPBF
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
