Výrobca Číslo produktu:
IRFS4227TRLPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFS4227TRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
3850 Ks Nové Originálne Na Sklade
12822449
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFS4227TRLPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
62A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
330W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFS4227
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRFS4227TRLPBF-DG
IRFS4227TRLPBFCT
2156-IRFS4227TRLPBFINF
IRFS4227TRLPBFTR
IRFS4227TRLPBFDKR
SP001567810
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MMIX1F420N10T
MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
BUK7C5R4-100EJ
MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
MMIX1T132N50P3
MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
