Výrobca Číslo produktu:
IRFTS9342TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFTS9342TRPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 5.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
27194 Ks Nové Originálne Na Sklade
12823553
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFTS9342TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
595 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Základné číslo produktu
IRFTS9342
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
IRFTS9342TRPBFDKR
IRFTS9342TRPBFCT
IRFTS9342TRPBFTR
SP001571652
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPU80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
IRF3709ZS
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
IRF3711S
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
