Výrobca Číslo produktu:
IRFU3410
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFU3410-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventár:
12822955
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFU3410 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
31A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
39mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1690 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK (TO-251AA)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
Q1434118
*IRFU3410
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFU3410PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3321
ČÍSLO DIELU
IRFU3410PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFS7434TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
AUIRFR8405
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
IRL3714S
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
