Výrobca Číslo produktu:
IRFU3910PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFU3910PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventár:
3219 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805926
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFU3910PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
640 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
79W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK (TO-251AA)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
IRFU3910
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
SP001578380
*IRFU3910PBF
64-4139PBF
64-4139PBF-DG
IFEINFIRFU3910PBF
2156-IRFU3910PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLR8743PBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
IPP80N06S2H5AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRLR8503TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
