Výrobca Číslo produktu:
IRFU4105Z
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFU4105Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventár:
12802876
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
KxDx
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFU4105Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
24.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
740 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK (TO-251AA)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
*IRFU4105Z
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3704STRLPBF
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
BSC014N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
IPDD60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
