Výrobca Číslo produktu:
IRFU9120N
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFU9120N-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventár:
12803546
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFU9120N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
480mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK (TO-251AA)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
SP001573590
*IRFU9120N
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQU8P10TU
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
65220
ČÍSLO DIELU
FQU8P10TU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFU9120PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2697
ČÍSLO DIELU
IRFU9120PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPC020N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPL65R460CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
