Výrobca Číslo produktu:
IRL3215
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRL3215-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12823061
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRL3215 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
166mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
775 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
80W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRL3215
SP001558002
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB4019PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
743
ČÍSLO DIELU
IRFB4019PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7421D1PBF
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
PHD23NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
IXTY64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO252