IRL3302
Výrobca Číslo produktu:

IRL3302

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRL3302-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 39A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

Online RFQ
12806140
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRL3302 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
39A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 7V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 23A, 7V
Vgs(th) (Max.) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
57W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRL3302-DG
Technické listy
IRL3302
Zdroje návrhu
IRL3302 Saber Model

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRL3302

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRF6637TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

infineon-technologies

IPS13N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

infineon-technologies

IRFR18N15DTR

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

infineon-technologies

IRFH7934TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN