IRL3705NL

Výrobca Číslo produktu:

IRL3705NL

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRL3705NL-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 89A TO262

Podrobný popis:

N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262

Inventár:

Online RFQ

12804457

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRL3705NL Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

55 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

89A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

10mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

98 nC @ 5 V

Vgs (max.)

±16V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

3600 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-262

Balenie / puzdro

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Iné mená

*IRL3705NL

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IPT004N03LATMA1

MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF

infineon-technologies

IPL60R065P7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON

infineon-technologies

IRFS17N20DTRLP

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

infineon-technologies

IRFHM830DTRPBF

MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN