IRL3705ZL
Výrobca Číslo produktu:

IRL3705ZL

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRL3705ZL-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262

Inventár:

Online RFQ
12807181
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRL3705ZL Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2880 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
130W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRL3705ZL-DG
Technické listy
IRL3705ZL
Zdroje návrhu
IRL3705ZL Saber Model

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRL3705ZL

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPZ65R065C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4

infineon-technologies

IRLZ34NPBF

MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB

infineon-technologies

IRFH8201TRPBF

MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN

microchip-technology

TP2540N3-G-P002

MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3