Výrobca Číslo produktu:
IRL40T209ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRL40T209ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 300A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventár:
12805947
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRL40T209ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
StrongIRFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
300A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
0.72mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
269 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
16000 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-HSOF-8-1
Balenie / puzdro
8-PowerSFN
Základné číslo produktu
IRL40T209
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
IRL40T209ATMA1CT
IRL40T209ATMA1TR
SP001648026
IRL40T209ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRL40T209ATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRL40T209ATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.24
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLMS1503TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
IRLR7843TRPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
IRF3709ZSPBF
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
