Výrobca Číslo produktu:
IRL60B216
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRL60B216-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12806917
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRL60B216 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
258 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
15570 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
375W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRL60B216
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001568416
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD18535KCS
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2411
ČÍSLO DIELU
CSD18535KCS-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP220N6F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
196
ČÍSLO DIELU
STP220N6F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.47
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPP70N10L
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
IRFU3709ZPBF
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK