Výrobca Číslo produktu:
IRLB4132PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLB4132PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
10974 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805302
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLB4132PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
78A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5110 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
140W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRLB4132
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Iné mená
SP001558130
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR4104TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFR3505TRPBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPW90R1K0C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3
