IRLHM630TR2PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRLHM630TR2PBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRLHM630TR2PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)

Inventár:

Online RFQ

12807225

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRLHM630TR2PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

21A (Ta), 40A (Tc)

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

3.5mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.1V @ 50µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

62 nC @ 4.5 V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

3170 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

PQFN (3x3)

Balenie / puzdro

8-VQFN Exposed Pad

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRLHM630TR2PBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

400

Iné mená

SP001550422

IRLHM630TR2PBFCT

IRLHM630TR2PBFTR

IRLHM630TR2PBFDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

SPN03N60S5

MOSFET N-CH 600V 700MA SOT223-4

infineon-technologies

SPD06N60C3BTMA1

MOSFET N-CH 650V 6.2A TO252-3

infineon-technologies

SPB04N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3

infineon-technologies

IRL3103D2S

MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK