Výrobca Číslo produktu:
IRLHS6342TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLHS6342TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Inventár:
130231 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806081
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLHS6342TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 10µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1019 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-PQFN (2x2)
Balenie / puzdro
6-PowerVDFN
Základné číslo produktu
IRLHS6342
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SP001573840
IRLHS6342TRPBFTR
IRLHS6342TRPBFCT
IRLHS6342TRPBF-DG
IRLHS6342TRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR2905ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRLBD59N04ETRLP
MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
IRLR8103VTRR
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
