Výrobca Číslo produktu:
IRLHS6376TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLHS6376TRPBF-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN Dual (2x2)
Inventár:
148841 Ks Nové Originálne Na Sklade
12807518
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLHS6376TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 10µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
270pF @ 25V
Výkon - Max
1.5W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-PowerVDFN
Balík zariadení dodávateľa
6-PQFN Dual (2x2)
Základné číslo produktu
IRLHS6376
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRLHS6376TRPBFCT
2156-IRLHS6376TRPBF
SP001573000
INFINFIRLHS6376TRPBF
IRLHS6376TRPBFTR
IRLHS6376TRPBF-DG
IRLHS6376TRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7314TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
IRLHS6376TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
TC6215TG-G
MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC