Výrobca Číslo produktu:
IRLL2705PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLL2705PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventár:
12823124
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLL2705PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
870 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
80
Iné mená
IFEINFIRLL2705PBF
2156-IRLL2705PBF-IT
SP001558810
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN6068SE-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
18062
ČÍSLO DIELU
DMN6068SE-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
NDT3055L
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NDT3055L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQA6N70
MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
IRFP4332PBF
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
IPP80R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
