Výrobca Číslo produktu:
IRLMS5703TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLMS5703TRPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 2.4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventár:
12806906
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLMS5703TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.7W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
Micro6™(TSOP-6)
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFTR
SP001552748
IRLMS5703PBFCT
IRLMS5703PBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
SPD30N06S2L-13
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK