Výrobca Číslo produktu:
IRLR8103
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLR8103-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 89A (Ta) 89W (Ta) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventár:
12807383
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLR8103 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
89A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
89W (Ta)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF6644TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRFB3077GPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IRLU3636-701TRP
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK