IRLSL3036PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRLSL3036PBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRLSL3036PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 195A TO262

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-262

Inventár:

Online RFQ

12822663

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRLSL3036PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

195A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

140 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±16V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

11210 pF @ 50 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

380W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-262

Balenie / puzdro

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRLSL3036PBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Iné mená

2156-IRLSL3036PBF

INFINFIRLSL3036PBF

SP001559028

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXTH1N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV

infineon-technologies

IPW65R150CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3

infineon-technologies

IRLS4030PBF

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK7523-75A,127

MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB