Výrobca Číslo produktu:
IRLU120NPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLU120NPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventár:
9600 Ks Nové Originálne Na Sklade
12808402
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLU120NPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
185mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
440 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK (TO-251AA)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
IRLU120
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
SP001567330
*IRLU120NPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STU6NF10
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
STU6NF10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF6607TR1
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
TN2124K1-G
MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
IRFR5505TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
