IRLU3103
Výrobca Číslo produktu:

IRLU3103

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRLU3103-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 55A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK

Inventár:

Online RFQ
12806554
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRLU3103 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
19mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
107W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRLU3103-DG
Technické listy
IRLU3103
Zdroje návrhu
IRLU3103 Saber Model

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
75
Iné mená
*IRLU3103
Q832191

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPP120N04S402AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

infineon-technologies

SPP80N06S2-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRLZ34NSTRR

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

infineon-technologies

IPLU300N04S4R8XTMA1

MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF