Výrobca Číslo produktu:
IRLU3303
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRLU3303-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 68W (Tc) Through Hole IPAK
Inventár:
12805653
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLU3303 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
31mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
870 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
*IRLU3303
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPS01N60C3
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
IRF7324D1TR
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
IPB80N06S4L07ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
