Výrobca Číslo produktu:
ISC030N10NM6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
ISC030N10NM6ATMA1-DG
Popis:
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 179A (Tc) 3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventár:
4499 Ks Nové Originálne Na Sklade
12968202
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ISC030N10NM6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™ 6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Ta), 179A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.3V @ 109µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5200 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8 FL
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
ISC030N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
448-ISC030N10NM6ATMA1CT
448-ISC030N10NM6ATMA1TR
SP005427072
448-ISC030N10NM6ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB720P15LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3
IPB330P10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3
RV4E031RPTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6
