Výrobca Číslo produktu:
SPA11N60C3XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPA11N60C3XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventár:
140 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806449
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPA11N60C3XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-31
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
SPA11N60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2156-SPA11N60C3XKSA1
ROCINFSPA11N60C3XKSA1
SP000216312
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPB21N10T
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
IRL6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
IRFP4468PBF
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
