Výrobca Číslo produktu:
SPB12N50C3ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPB12N50C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 560 V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12809330
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPB12N50C3ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
560 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SPB12N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SPB12N50C3XT
SPB12N50C3INTR-DG
SPB12N50C3-DG
SPB12N50C3ATMA1CT
SPB12N50C3INCT
SPB12N50C3INDKR
SPB12N50C3ATMA1DKR
SPB12N50C3
SP000014894
SPB12N50C3INTR
2156-SPB12N50C3ATMA1-ITTR
INFINFSPB12N50C3ATMA1
SPB12N50C3INDKR-DG
SPB12N50C3ATMA1TR
SPB12N50C3INCT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB18NM80
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB18NM80-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.07
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTA16N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTA16N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.83
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R199CPATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3260
ČÍSLO DIELU
IPB60R199CPATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.72
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STB14NK50ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB14NK50ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.85
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
872
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.34
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK951R8-40EQ
MOSFET N-CH 40V TO220AB
IRF7493TR
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
2N7000,126
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
