Výrobca Číslo produktu:
SPB16N50C3ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPB16N50C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12807147
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPB16N50C3ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
560 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 675µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SPB16N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SPB16N50C3ATMA1TR
SPB16N50C3INTR
SPB16N50C3INTR-DG
2156-SPB16N50C3ATMA1
SPB16N50C3ATMA1DKR
SPB16N50C3INDKR-DG
SP000014895
SPB16N50C3INCT
SPB16N50C3INCT-DG
2156-SPB16N50C3ATMA1-ITTR-DG
SPB16N50C3
SPB16N50C3ATMA1CT
SPB16N50C3XT
SPB16N50C3INDKR
INFINFSPB16N50C3ATMA1
SPB16N50C3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK14G65W,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3525
ČÍSLO DIELU
TK14G65W,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.93
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R280P7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1086
ČÍSLO DIELU
IPB60R280P7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.85
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTA16N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTA16N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.83
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDB20N50F
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12950
ČÍSLO DIELU
FDB20N50F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.47
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTA460P2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
36
ČÍSLO DIELU
IXTA460P2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.29
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFH5302DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
SPD30N08S2-22
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
BSS84-HF
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
