Výrobca Číslo produktu:
SPB20N60C3ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPB20N60C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
4719 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805565
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
4cDP
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPB20N60C3ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C3
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SPB20N60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SPB20N60C3INTR-DG
SPB20N60C3ATMA1DKR
SPB20N60C3INCT-DG
SPB20N60C3INDKR-DG
SPB20N60C3ATMA1CT
SPB20N60C3INCT
SPB20N60C3XT-DG
SP000013520
SPB20N60C3
SPB20N60C3XT
SPB20N60C3INTR
SPB20N60C3INDKR
SPB20N60C3ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
IRFR3910TRPBF
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
SPD09P06PL
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
