Výrobca Číslo produktu:
SPD04N80C3ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPD04N80C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
21919 Ks Nové Originálne Na Sklade
12808094
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPD04N80C3ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 240µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
570 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SPD04N80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SPD04N80C3ATMA1TR
SPD04N80C3ATMA1DKR
SP001117768
SPD04N80C3ATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIPC14N80C3X1SA2
TRANSISTOR N-CH
SPI80N03S2L-04
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
SPP42N03S2L13
MOSFET N-CH 30V 42A TO220-3