Výrobca Číslo produktu:
SPD08N50C3ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPD08N50C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
12211 Ks Nové Originálne Na Sklade
12807338
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPD08N50C3ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 350µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
750 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SPD08N50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-SPD08N50C3ATMA1
SP001117776
SPD08N50C3ATMA1-DG
SPD08N50C3ATMA1TR
SPD08N50C3ATMA1CT
SPD08N50C3ATMA1DKR
INFINFSPD08N50C3ATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPD04N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
TN5325N3-G-P002
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
IPI60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
